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VP0106

P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET

GeneralDescription TheVP0106low-thresholdEnhancement-mode (normally-off)transistorsuseaverticalDMOSstructure andawell-provensilicon-gatemanufacturingprocess. Thiscombinationproducesadevicewiththepower handlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehigh inputimped

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

VP0106ND

P-ChannelEnhancement-Mode

P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

XF0106A-HO

INDUCTOR

XFMRS

XFMRS，Inc.

XF0106C

HIGHQUALITYNETWORKINGTRANSFORMERS

XFMRS

XFMRS，Inc.

XF0106C

HIGHQUALITYNETWORKINGTRANSFORMERS

XFMRS

XFMRS，Inc.

XF0106D

HIGHQUALITYNETWORKINGTRANSFORMERS

XFMRS

XFMRS，Inc.

XF0106D

HIGHQUALITYNETWORKINGTRANSFORMERS

XFMRS

XFMRS，Inc.

XF0106DR

FILTERINDUCTORS

XFMRS

XFMRS，Inc.

XF0106-HMPLC

POWERLINECOUPLINGTRANSFORMER

XFMRS

XFMRS，Inc.

XF0106T

HIGHQUALITYNETWORKINGTRANSFORMERS

XFMRS

XFMRS，Inc.

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TN0106

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 3Ohm

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TN0106供應商 更新時間2025-4-7 8:30:00

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