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TPH1R712MD中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TPH1R712MD
廠商型號

TPH1R712MD

功能描述

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

絲印標(biāo)識

TPH1R712MD

封裝外殼

SOP

文件大小

806.9 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-5-24 17:36:00

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TPH1R712MD規(guī)格書詳情

Applications

? Lithium-Ion Secondary Batteries

? Power Management Switches

Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.35 mΩ (typ.) (VGS = -4.5 V)

(2) Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -20 V)

(3) Enhancement mode: Vth = -0.5 to -1.2 V (VDS = -10 V, ID = -1.0 mA)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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