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TPH8R008NH中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TPH8R008NH
廠商型號

TPH8R008NH

功能描述

MOSFETs Silicon N-channel MOS

絲印標識

TPH8R008NH

封裝外殼

SOP

文件大小

229.84 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-22 22:59:00

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TPH8R008NH規(guī)格書詳情

Applications

? DC-DC Converters

? Switching Voltage Regulators

? Motor Drivers

Features

(1) Small, thin package

(2) High-speed switching

(3) Small gate charge: QSW = 13 nC (typ.)

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.6 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(5) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 80 V)

(6) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    TPH8R008NH

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 80V 2300pF 35nC 8.0mOhm 63A 61W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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