TPHR9003NC中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	TPHR9003NC
功能描述	MOSFETs Silicon N-channel MOS
絲印標識	TPHR9003NC
封裝外殼	SOP
文件大小	255.72 Kbytes
頁面數(shù)量	9 頁
生產(chǎn)廠商	Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱	TOSHIBA【東芝】
中文名稱	株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標識
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更新時間	2025-5-26 9:08:00
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Applications

? ORing Circuits

? Power Management Switches

Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.1 mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V)

(2) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V)

(3) Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)

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