TPN11006PL中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	TPN11006PL
功能描述	MOSFETs Silicon N-channel MOS
文件大小	457.19 Kbytes
頁面數(shù)量	9 頁
生產(chǎn)廠商	Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱	TOSHIBA【東芝】
中文名稱	株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標識
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更新時間	2025-5-28 9:11:00
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Applications

? High-Efficiency DC-DC Converters

? Switching Voltage Regulators

? Motor Drivers

Features

(1) High-speed switching

(2) Small gate charge: QSW = 5.8 nC (typ.)

(3) Small output charge: Qoss = 14.4 nC (typ.)

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(5) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

(6) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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