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TPN2010FNH中文資料東芝數據手冊PDF規(guī)格書

TPN2010FNH
廠商型號

TPN2010FNH

功能描述

MOSFETs Silicon N-channel MOS

文件大小

234.65 Kbytes

頁面數量

9

生產廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-5-25 11:26:00

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TPN2010FNH規(guī)格書詳情

Applications

? High-Efficiency DC-DC Converters

? Switching Voltage Regulators

Features

(1) High-speed switching

(2) Small gate charge: QSW = 2.6 nC (typ.)

(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 168 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(4) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 250 V)

(5) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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