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PESD36VS2UT

LowcapacitanceunidirectionaldoubleESDprotectiondiode

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PESD36VS2UT

LowcapacitanceunidirectionaldoubleESDprotectiondiode

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

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UnidirectionalESDprotectionoftwolines

Applications Features UnidirectionalESDprotectionoftwolines ESDprotectionupto30kV Lowdiodecapacitance:Cd=17pF IEC61000-4-2;level4(ESD) Max.peakpulsepower:PPP=160W IEC61000-4-5(surge);IPP=2.5A Lowclampingvoltage:VCL=55V AEC-Q101qualified Ultralowl

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導體廣東友臺半導體有限公司

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LowcapacitanceunidirectionaldoubleESDprotectiondiode

1.Generaldescription LowcapacitanceunidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaSOT23 (TO-236AB)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectuptotwo signallinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandbe

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安世安世半導體(中國)有限公司

PESD36VS2UT-Q

LowcapacitanceunidirectionaldoubleESDprotectiondiode

1.Generaldescription LowcapacitanceunidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaSOT23 (TO-236AB)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectuptotwo signallinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresand

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安世安世半導體(中國)有限公司

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更多TPPESD36VS2UT供應商 更新時間2025-5-18 11:06:00

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