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TPS1101DG4

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

TI1Texas Instruments

德州儀器

詳細參數(shù)

  • 型號:

    TPS1101DG4

  • 功能描述:

    MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TI
24+
300
詢價
TI/TEXAS
23+
原廠封裝
8931
詢價
TI
1809+
SOP-8
1675
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詢價
TI
22+
8SOIC
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
TI
24+
8-SOIC
20000
絕對原裝現(xiàn)貨
詢價
TI
22+
8-SOIC
25000
只有原裝原裝,支持BOM配單
詢價
TI
2024+
SOIC-8
16000
原裝優(yōu)勢絕對有貨
詢價
TI/德州儀器
23+
SOP-8
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
TI/德州儀器
23+
SOP-8
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
TI
SOP8
1200
正品原裝--自家現(xiàn)貨-實單可談
詢價
更多TPS1101DG4供應商 更新時間2025-2-7 16:00:00