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TRS10E65H

Marking：S10E65H；Package：TO-220-2L；SiC Schottky Barrier Diode

Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF=1.2V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc=27nC(typ.) (4)Lowreversecurrent:IR=2.0μA(typ.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TRS10E65C

SiCSchottkyBarrierDiode

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TRS10E65F

SiCSchottkyBarrierDiode

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Toshiba
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原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
 詢價(jià)
更多TRS10E65H供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-19 16:22:00

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