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TRS30N120HB中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
TRS30N120HB |
功能描述 | SiC Schottky Barrier Diode |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | TO-247 |
文件大小 |
446.41 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱 | 株式會(huì)社東芝官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-25 10:08:00 |
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TRS30N120HB規(guī)格書(shū)詳情
Applications
? Power Factor Correction
? Solar Inverters
? Uninterruptible Power Supplies
? DC-DC Converters
Features
(1) Chip design of 3rd generation
(2) Low forward voltage : VF (Per Leg) = 1.27 V (typ.)
(3) Low total capacitive charge: Qc (Per Leg) = 80 nC (typ.)
(4) Low reverse current: IR (Per Leg) = 1.4 μA (typ.)
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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TI(德州儀器) |
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