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BF904AR

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BF904AWR

N-channeldualgateMOS-FETs

DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BF904AWR

N-channeldualgateMOS-FETs

DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S

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BF904AWR

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BF904R

N-channeldualgateMOS-FETs

DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143BandSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BF904R

N-channeldualgateMOS-FETs

DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143BandSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BF904R

N-channeldualgateMOS-FETs

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BF904R

N-channeldualgateMOS-FETs

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BF904WR

N-channeldual-gateMOS-FET

DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT343Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES ?Speciallyde

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BGD904

CATVamplifiermodules

DESCRIPTION HybridamplifiermodulesinaSOT115Jpackageoperatingwithavoltagesupplyof24V(DC). Bothmodulesareelectricallyidenticalonlythepinningisdifferent. FEATURES ?Excellentlinearity ?Extremelylownoise ?Excellentreturnlossproperties ?Siliconnitridepassivatio

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    TS904I

  • 功能描述：

    運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 QUAD OP AMP

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 通道數(shù)量：

    4

  • 共模抑制比（最小值）：

    63 dB

  • 輸入補(bǔ)償電壓：

    1 mV

  • 輸入偏流（最大值）：

    10 pA

  • 工作電源電壓：

    2.7 V to 5.5 V

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    QFN-16

  • 轉(zhuǎn)換速度：

    0.89 V/us

  • 關(guān)閉：

    No

  • 輸出電流：

    55 mA

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST
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更多TS904I供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-12 16:30:00

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