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TSB1132CY中文資料臺灣半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TSB1132CY
廠商型號

TSB1132CY
功能描述

Low Frequency PNP Transistor
文件大小

44.45 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 Taiwan Semiconductor Company, Ltd
企業(yè)簡稱

TSC【臺灣半導(dǎo)體】

中文名稱

臺灣半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-22 23:00:00
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TSB1132CY規(guī)格書詳情

Features

● Low VCE(SAT) -0.15 @ IC / IB = --.5A / -50mA (Typ.)

● Excellent DC current gain characteristics

Structure

● Epitaxial Planar Type

● PNP Silicon Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    TSB1132CY

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT PNP Transistor

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TSC/臺灣半導(dǎo)體
24+
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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TI一級代理商原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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