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UPA2791GR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-ANDP-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheμPA2791GRisN-andP-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforswitchingapplication. FEATURES ?Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=36.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.0A) RDS(on)2=50.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.0A) P-channel

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPC2791TB

5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICWIDEBANDAMPLIFIER

CEL

California Eastern Labs

UPC2791TB

5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICVHF-UHFWIDEBANDAMPLIFIER

DESCRIPTION TheμPC2791TBandμPC2792TBaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedas2ndIFbufferamplifierforDBStuners.TheseICsarepackagedinsuperminimoldpackagewhichissmallerthanconventionalminimold.So,inthecaseofreducingyoursystemsize,μPC2791TBandμPC2792T

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更多TZ2791A供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 17:20:00