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VT3060G

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?NotrecommendedforPCBbottomsidewavemounting ?Solderbathtemperature275°Cmaximum

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT3060G

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT3060G

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

WSD3060DN

N-ChMOSFET

WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd

微碩半導(dǎo)體微碩半導(dǎo)體(深圳)有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多UF3060供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-26 15:32:00