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2SA1015-GR

PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor

Features ?Capableof0.4WattsofPowerDissipation. ?Collector-current:-0.15A ?Collector-baseVoltage:-50V ?Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+125°C ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?Marking:A1015 ?LeadFreeFinish/R

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SA1015-GR

PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SA1015-GR

PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SA1015-H

PNPTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SA1015-H

PNPTransistors

Features ●Highvoltageandhighcurrent VCEO:=-50V(min.),IC=-150mA(max.) ●Lowniose:NF=1dB(Typ.)atf=1KHz

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

2SA1015-H-HF

PNPTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SA1015K

PlasticEncapsulateTransistors

FEATURES .PowerDissipation PCM:0.2W(Ta=25к) .CollectorCurrent ICM:-0.15A .Collector-BaseVoltage V(BR)CBO:-50V

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SA1015L

TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERAPPLICATIONS)

AudioFrequencyAmplifierApplications LowNoiseAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V(min), IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(2)=80(typ.)atVCE=?6V,IC=?150mA

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1015L

AudioFrequencyAmplifierApplicationsLowNoiseAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1015-L

PNPTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

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更多UMW2SA1015供應(yīng)商 更新時間2025-5-5 8:00:00

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