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UN201P26TE中文資料優(yōu)恩半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

UN201P26TE
廠商型號(hào)

UN201P26TE

功能描述

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

380

封裝外殼

SOT-26

文件大小

4.8613 Mbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 UN Semiconducctor INC
企業(yè)簡(jiǎn)稱

UNSEMI優(yōu)恩半導(dǎo)體

中文名稱

深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-26 9:09:00

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UN201P26TE規(guī)格書詳情

Features

Advanced Trench Process Technology

Low Threshold Voltage

Fast Switching Speed

ESD Protected up to 2KV (HBM)

Applications

Load Switch for Portable Devices

Voltage Controlled Small Signal Switch

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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