UNR5114分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
UNR5114 |
| 參數(shù)屬性 | UNR5114 封裝/外殼為SC-85；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 |
| 功能描述 | Silicon PNP epitaxial planar type |
| 封裝外殼 | SC-85 |
| 文件大小 |
444.69 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
17 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Panasonic Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
Panasonic【松下】 |
| 中文名稱 | 松下電器官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-17 9:34:00 |
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UNR5114規(guī)格書詳情
Silicon PNP epitaxial planar type
For digital circuits
■ Features
? Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts
? S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape/
magazine packing
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
UNR5114G0L
- 制造商：
Panasonic Electronic Components
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，10V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
250mV @ 300μA，10mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
500nA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SC-85
- 供應(yīng)商器件封裝：
S迷你型3-F2
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Panasonic Electronic Component |
24+ |
SC-85 |
9350 |
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