首頁(yè)>UPA2210T1M-T2-AT>規(guī)格書(shū)詳情
UPA2210T1M-T2-AT中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
UPA2210T1M-T2-AT |
功能描述 | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
文件大小 |
356.85 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-22 12:00:00 |
人工找貨 | UPA2210T1M-T2-AT價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
UPA2210T1M-T2-AT規(guī)格書(shū)詳情
DESCRIPTION
The μ PA2210T1M is P-channel MOS Field Effect Transistor designed
for power management applications of portable equipments, such as
load switch.
FEATURES
? Low on-state resistance
RDS(on)1 = 29 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?7.2 A)
RDS(on)2 = 41 mΩ MAX. (VGS = ?2.5 V, ID = ?3.6 A)
RDS(on)3 = 81 mΩ MAX. (VGS = ?1.8 V, ID = ?3.6 A)
? Built-in gate protection diode
? ?1.8 V Gate drive available
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
VSOF-8 |
18560 |
假一賠十全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)供應(yīng)工廠客戶可放款 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
23+ |
SOT-23-8 |
90000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
VSOF-8 |
6000 |
原裝房間現(xiàn)貨可出樣品 |
詢價(jià) | ||
只做原裝 |
24+ |
SOT8 |
36520 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢價(jià) | ||
NEC |
2020+ |
VSOF-8 |
8000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
8P-VSOF |
11200 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
47000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
SOT-23-8 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
NA/ |
66130 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票 |
詢價(jià) |