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UPA2724UT1A

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2724UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=3.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=5.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?Lowinputcapacitance Ciss=4400pFTYP.(VDS=15V,VGS=0V)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2724UT1A

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

UPA2724UT1A-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2724UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=3.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=5.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?Lowinputcapacitance Ciss=4400pFTYP.(VDS=15V,VGS=0V)

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瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2724UT1A-E1-AZ

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2724UT1A-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2724UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=3.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=5.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?Lowinputcapacitance Ciss=4400pFTYP.(VDS=15V,VGS=0V)

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UPA2724UT1A-E2-AZ

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2724UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=3.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=5.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?Lowinputcapacitance Ciss=4400pFTYP.(VDS=15V,VGS=0V)

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    UPA2724UT1A

  • 制造商：

    Renesas Electronics Corporation

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
NEC
2024+
QFN-8
32560
原裝優(yōu)勢(shì)絕對(duì)有貨
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NEC
2020+
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190
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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RENESAS/瑞薩
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50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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原盒原標(biāo),正品現(xiàn)貨 誠信經(jīng)營 價(jià)格美麗 假一罰十!
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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更多UPA2724UT1A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-14 17:04:00

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