UPA2727UT1A-E1-AZ中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	UPA2727UT1A-E1-AZ
功能描述	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
文件大小	179.14 Kbytes
頁面數(shù)量	6 頁
生產(chǎn)廠商	Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱	NEC【瑞薩】
中文名稱	日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-2-7 9:52:00

DESCRIPTION

The μ PA2727UT1A is N-channel MOSFET designed for DC/DC converter applications.

FEATURES

? Low on-state resistance

RDS(on)1 = 9.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A)

RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 8 A)

? Low QGD

QGD = 3.5 nC TYP. (VDD = 15 V, ID = 16 A)

? Thin type surface mount package with heat spreader (8-pin HVSON)

? RoHS Compliant

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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