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UPA806T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

UPA806T
廠商型號(hào)

UPA806T
參數(shù)屬性

UPA806T 封裝/外殼為6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ 6SO
功能描述

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
封裝外殼

6-TSSOP，SC-88，SOT-363
文件大小

49.96 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEC【瑞薩】

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-31 19:00:00
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UPA806T規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low Noise, High Gain

? Operable at Low Voltage

? Small Feed-back Capacitance Cre = 0.4 pF TYP.

? Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4959)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    UPA806T-T1

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 晶體管類型：

    2 NPN（雙）

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    6V

  • 頻率 - 躍遷：

    12GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    75 @ 10mA，3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    30mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    6-SO

  • 描述：

    RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ 6SO

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NEC
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