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UPD753017GK-XXX-BE9中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

UPD753017GK-XXX-BE9
廠商型號(hào)

UPD753017GK-XXX-BE9

功能描述

MOS INTEGRATED CIRCUIT

文件大小

583.76 Kbytes

頁面數(shù)量

82

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-15 22:59:00

UPD753017GK-XXX-BE9規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low voltage operation: VDD = 2.2 to 5.5 V

· Can be driven by two 1.5 V batteries

? On-chip memory

· Program memory (ROM):

12288 ′ 8 bits (mPD753012)

16384 ′ 8 bits (mPD753016)

24576 ′ 8 bits (mPD753017)

· Data memory (RAM):

1024 ′ 4 bits

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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