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613

LowProfile

OSCILENT

Oscilent Corporation

A613ERU

Single&DualOutput,6WUltra-WideInputRangeDC/DCConverters

MPD

MPD (Memory Protection Devices)

ADG613

1pCChanrgeInjection,100pALeakage,CMOS-5V/5V/3VQuadSPSTSwitches

GENERALDESCRIPTION TheADG611/ADG612/ADG613aremonolithicCMOSdevicescontainingfourindependentlyselectableswitches.Theseswitchesofferultralowchargeinjectionof1pCoverthefullinputsignalrangeandtypicalleakagecurrentsof10pAat25°C. Thedevicesarefullyspecifiedfor±

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

ADG613YRU

1pCChanrgeInjection,100pALeakage,CMOS-5V/5V/3VQuadSPSTSwitches

GENERALDESCRIPTION TheADG611/ADG612/ADG613aremonolithicCMOSdevicescontainingfourindependentlyselectableswitches.Theseswitchesofferultralowchargeinjectionof1pCoverthefullinputsignalrangeandtypicalleakagecurrentsof10pAat25°C. Thedevicesarefullyspecifiedfor±

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

ADXRS613

?150?/secYawRateGyroscope

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

ADXRS613BBGZ

?150?/secYawRateGyroscope

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

ADXRS613BBGZ-RL

?150?/secYawRateGyroscope

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

ATP613

N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

ATP613

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

ATP613

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

晶體管資料

  • 型號:

    UPT613

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

  • 封裝形式:

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

  • 可代換的型號:

    3DK104D,

  • 最大耗散功率:

    5W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    NO

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    5

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多UPT613供應(yīng)商 更新時間2025-4-4 10:18:00