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UTV8100B

100 Watts Pk, 28 Volt, Class AB UHF Television - Band IV & V

GENERALDESCRIPTION TheUTV8100BisaCOMMONEMITTERtransistorcapableofproviding100WattPeak,ClassAB,RFOutputPowerovertheband470-860MHz.Thetransistorincludesdoubleinputandoutputprematchingforfullbroadbandcapability.GoldMetalizationandDiffusedBallastingareused

GHZTECH

GHz Technology

UTV8100B

Package：55RT；包裝：散裝 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

8100

T1/CEPTISDNPRITransformers

FILTRANFiltran LTD

費爾蘭特

8100

RingandSpadeTerminals

HeycoHeyco.

?？?/span>

ACTF8100

SawFilter

ACT

Advanced Crystal Technology

ADL8100

GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.01GHzto20GHz

GENERALDESCRIPTION TheADL8100isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),widebandlownoiseamplifier(LNA)thatoperates from0.01GHzto20GHz.TheADL8100providesatypical gainof20dBat0.01

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

ADL8100ACPZN

GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.01GHzto20GHz

GENERALDESCRIPTION TheADL8100isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),widebandlownoiseamplifier(LNA)thatoperates from0.01GHzto20GHz.TheADL8100providesatypical gainof20dBat0.01

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

ADL8100-EVALZ

GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.01GHzto20GHz

GENERALDESCRIPTION TheADL8100isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),widebandlownoiseamplifier(LNA)thatoperates from0.01GHzto20GHz.TheADL8100providesatypical gainof20dBat0.01

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

AEDR-8100

ReflectiveSurfaceMountOpticalEncoder

AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED

安華高

AG8100

Power-Over-EthernetModule

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    UTV8100B

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    60V

  • 頻率 - 躍遷：

    470MHz ~ 860MHz

  • 增益：

    8.5dB ~ 9.5dB

  • 功率 - 最大值：

    290W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 1A，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    15A

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    55RT

  • 供應商器件封裝：

    55RT

  • 描述：

    RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633
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更多UTV8100B供應商 更新時間2025-3-29 10:30:00

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