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V12P22HM3/I

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V12P22HM3/I

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V12P22HM3/I

Package：TO-277，3-PowerDFN；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：12A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V12P22HM3/H

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V12P22HM3/H

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V12P22HM3SLASHH

HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.33VatIF=6A

?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -Automotive

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V12P22HM3SLASHH

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.60VatIF=6A

?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -Automotive

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V12P22HM3SLASHI

HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.33VatIF=6A

?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -Automotive

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V12P22HM3SLASHI

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.60VatIF=6A

?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -Automotive

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    V12P22HM3/I

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 二極管類型：

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    3.2A

  • 速度：

    快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 不同?Vr、F 時電容：

    720pF @ 4V，1MHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-277，3-PowerDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-277A（SMPC）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -40°C ~ 175°C

  • 描述：

    12A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多V12P22HM3/I供應(yīng)商 更新時間2025-2-22 11:23:00

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