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VB20120SG-E3/8W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
VB20120SG-E3/8W |
參數(shù)屬性 | VB20120SG-E3/8W 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB |
功能描述 | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A |
封裝外殼 | TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB |
文件大小 |
166.5 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
企業(yè)簡稱 |
Vishay【威世科技】 |
中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-5-6 10:06:00 |
人工找貨 | VB20120SG-E3/8W價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
VB20120SG-E3/8W規(guī)格書詳情
Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and TO-262AA package)
? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
VB20120SG-E3/8W
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
- 系列:
TMBS?
- 包裝:
卷帶(TR)
- 二極管類型:
肖特基
- 電流 - 平均整流 (Io):
20A
- 速度:
快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-263AB(D2PAK)
- 工作溫度 - 結(jié):
-40°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
48000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
VISHAY/威世 |
TO-263 |
22+ |
6000 |
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詢價 | ||
TECCOR/LITT |
23+ |
TO-252 |
69820 |
終端可以免費供樣,支持BOM配單! |
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VISHAY/威世 |
23+ |
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11200 |
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VISHAY/威世 |
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82000 |
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Vishay General Semiconductor - |
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9350 |
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VISHAY |
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8600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
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威世 |
2022+ |
原廠原包裝 |
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