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VB40M120C-E3

Trench MOS Schottky technology

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB40M120C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB40M120C-E3/8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB40M120C-E3_15

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB40M120C-E3SLASH4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB40M120C-E3SLASH8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB40M120C-E3/4W

Package:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝:卷帶(TR) 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE SCHOTTKY 40A 120V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VB40M120C-E3/8W

Package:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝:卷帶(TR) 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE SCHOTTKY 40A 120V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    VB40M120C-E3

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全稱(chēng):

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY
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TO-263
3675
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Vishay General Semiconductor -
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TO-263-3 D?Pak(2 引線 + 接片
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Vishay Semiconductor Diodes Di
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TO263AB
9000
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Vishay Semiconductor Diodes Di
23+
TO263AB
9000
原裝正品,支持實(shí)單
詢(xún)價(jià)
Vishay Semiconductor Diodes Di
23+
TO263AB
8000
只做原裝現(xiàn)貨
詢(xún)價(jià)
VISHAY(威世)
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SOP
1068
詢(xún)價(jià)
ST
2025+
SOP
3695
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售
詢(xún)價(jià)
更多VB40M120C-E3供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00