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VBE165R11S中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

VBE165R11S
廠商型號(hào)

VBE165R11S

功能描述

N-Channel 650V (D -S) Super Junction Power MOSFET

文件大小

806.58 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-21 11:35:00

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VBE165R11S規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

? Low input capacitance (Ciss)

? Reduced switching and conduction losses

? Ultra low gate charge (Qg)

? Avalanche energy rated (UIS)

APPLICATIONS

? Server and telecom power supplies

? Switch mode power supplies (SMPS)

? Power factor correction power supplies (PFC)

? Lighting

- High-intensity discharge (HID)

- Fluorescent ballast lighting

? Industrial

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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