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VBT6045CBP-M3_V01

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C ?TJ200°Cmax.insolarbypassmodeapplication ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance please

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多VBT6045CBP-M3_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-15 14:50:00

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