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VI40120C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40120C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40120C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40120C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40120C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40120C-E3SLASH4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40120C-E3SLASH4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40120CHM3-4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    VI40120C

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
24+
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8866
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VISHAY
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TO-262
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全新原裝現(xiàn)貨
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ST/意法
23+
D2PAKTO-
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終端可以免費供樣,支持BOM配單!
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VISHAY
23+
TO220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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VISHAY/威世
2048+
TO-262
9851
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VISHAY
0605+
TO220
22
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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VISHAY
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TO220
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原廠原裝正品
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VISHAY
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VISHAY
21+
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更多VI40120C供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 16:00:00

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