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BD647

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

BD647

PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTORS

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BD647

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BD647

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A

POINN

Power Innovations Ltd

BD647

SiliconNPNPowerTransistors

SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

BD647

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647

COMSET

Comset Semiconductor

BD647

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

*Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) *HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=3A *LowSaturationVoltage *ComplementtoTypeBD648

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BD647

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

BD647

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS

COMSET

Comset Semiconductor

BD647

SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

Eplbasepowerdarlingtontransistors(62.5W) BD643,BD645,BD647,andBD649aremonolithicNPNSiliconepibasepowerdarlingtontransistorswithdiodeandresistorsinaTO220ABplasticpackage(TOP-66).Thecollectorsofthetwotransistorsareelectricallyconnectedtothemetallicmounting

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VJ647M

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 橋式整流器

  • 包裝：

    散裝

  • 二極管類型：

    Single Phase

  • 技術：

    雪崩

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    4-方形，VJ

  • 供應商器件封裝：

    VJ

  • 描述：

    BRIDGE RECT 1PHASE 1.1KV 10A VJ

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Microsemi Corporation
22+
VJ
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
Microsemi Corporation
24+
4-方形 VJ
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價
VISHAY
24+
400000
詢價
VISHAY/威世
23+
SMD
11200
原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
 詢價
VISHAY/威世
17+
SMD
8000
原裝+實力庫存+當天發(fā)貨
 詢價
VISHAY/威世
19+
SMD
215000
原裝現(xiàn)貨
 詢價
VISHAY/威世
l45V50W32
44000
全新原裝現(xiàn)貨 樣品可售
 詢價
VISHAY
24+
35200
一級代理/放心采購
 詢價
VISHAY
08+
2000
普通
 詢價
VISHAY/威世
21+
9852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價
更多VJ647M供應商 更新時間2025-4-7 15:32:00

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