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VMMK-1225

0.5 to 26 GHz Low Noise E-PHEMT in a Wafer Scale Package

BOARDCOMBroadcom Corporation.

博通公司博通半導(dǎo)體

VMMK-1225

0.5 to 26 GHz Low Noise E-PHEMT in a Wafer Scale Package

AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED

安華高

VMMK-1225_15

0.5 to 26 GHz Low Noise E-PHEMT in a Wafer Scale Package

AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED

安華高

VMMK-1225-BLKG

Package：0402（1005 公制）；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 5V 12GHZ 0402

Broadcom Limited

Broadcom Limited

Broadcom Limited

VMMK-1225-TR1G

Package：0402（1005 公制）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 5V 12GHZ 0402

Broadcom Limited

Broadcom Limited

Broadcom Limited

VMMK-1225-TR2G

Package：0402（1005 公制）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 5V 12GHZ 0402

Broadcom Limited

Broadcom Limited

Broadcom Limited

VTT1225

.025NPNPhototransistors

PRODUCTDESCRIPTION AsmallareahighspeedNPNsiliconphototransistormountedina5mmdiameterlensed,endlooking,transparentplasticpackage.Detectorsinthisserieshaveahalfpoweracceptanceangle(θ1/2)of5°.ThesedevicesarespectrallyandmechanicallymatchedtotheVTE12xxserie

PerkinElmer

PerkinElmer Optoelectronics

VTT1225H

Low-costvisibleandnear-IRphotodetection

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

WLTM1225

Two-TerminalSurfaceMountResistor

LittelfuseWLTMSerieslowohmcurrentsenseresistoris designedwithlongtermstabilityinmind.Thisseriesisdurable, excelsatheatdissipation.Thesmallpackageisoptimalformost applications. Description ■LowTCR ■OptimallinearityinI/Vconversion ■Ceramicsubstrate ■Sm

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

XL1225

Blockingvoltageto400V

Description Glasspassivated,sensitivegatethyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseingeneralpurpose switchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlyto microcontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetriggercircu

HAOPINHAOPIN MICROELECTRONICS CO.,LTD

好品微電子深圳市好品微電子有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    VMMK-1225

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 LNA FET in Microcap DC-18GHz

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導(dǎo)

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

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