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VP0300B分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

VP0300B
廠商型號

VP0300B
參數(shù)屬性

VP0300B 包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個；產(chǎn)品描述：MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205
功能描述

P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors
MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205
文件大小

250.87 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay【威世科技】

中文名稱

威世科技半導體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-22 10:35:00
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VP0300B規(guī)格書詳情

VP0300B屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由威世科技半導體制造生產(chǎn)的VP0300B晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用，它們具有高頻開關特性，同時又能承載大電流，使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    VP0300B-E3

  • 制造商：

    Vishay Siliconix

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 包裝：

    管件

  • FET 類型：

    P 通道

  • 技術：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    320mA（Ta）

  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：

    2.5 歐姆 @ 1A，12V

  • 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：

    4.5V @ 1mA

  • 描述：

    MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205

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