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VP2206N3-G中文資料微芯科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

VP2206N3-G
廠商型號

VP2206N3-G

功能描述

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

文件大小

824.77 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Microchip Technology
企業(yè)簡稱

Microchip微芯科技

中文名稱

微芯科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-21 19:54:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    VP2206N3-G

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 0.9Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Supertex
06+
TO-92
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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