VQ1004P-E3_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-單個(gè)-威世科技

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原廠料號(hào):VQ1004P-E3品牌:Vishay Siliconix

資料說(shuō)明:MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205

VQ1004P-E3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)。制造商VISHAY/威世科技生產(chǎn)封裝的VQ1004P-E3晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

  • 芯片型號(hào):

    vq1004p-e3

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱:

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱:

    威世科技半導(dǎo)體

  • 資料說(shuō)明:

    MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    VQ1004P-E3

  • 制造商:

    Vishay Siliconix

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    830mA(Ta)

  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    5V,10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 描述:

    MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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Vishay Siliconix
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