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VS-C12ET07T-M3

650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 12 A

FEATURES ?MajoritycarrierdiodeusingSchottkytechnology onSiCwidebandgapmaterial ?PositiveVFtemperaturecoefficientforeasy paralleling ?Virtuallynorecoverytailandnoswitchinglosses ?Temperatureinvariantswitchingbehavior ?175°Cmaximumoperatingjunctiontemperatur

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VS-C12ET07T-M3

650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 12 A

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威世科技威世科技半導體

VS-C12ET07T-M3

Package：TO-220-2；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-C12ET07T-M3_V01

650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 12 A

FEATURES ?MajoritycarrierdiodeusingSchottkytechnology onSiCwidebandgapmaterial ?PositiveVFtemperaturecoefficientforeasy paralleling ?Virtuallynorecoverytailandnoswitchinglosses ?Temperatureinvariantswitchingbehavior ?175°Cmaximumoperatingjunctiontemperatur

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VS-C12ET07T-M3

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 二極管類型：

    碳化硅肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    12A

  • 速度：

    快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 不同?Vr、F 時電容：

    515pF @ 1V，1MHz

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-2

  • 供應商器件封裝：

    TO-220AC

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -55°C ~ 175°C

  • 描述：

    DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220AC

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多VS-C12ET07T-M3供應商 更新時間2025-2-15 17:02:00

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