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VSB3200_V01

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

AIMC-3200_V01

MicroComputer,Intel?Core??i7/i5/i3CPU,2Expansions,250W80PlusPSU

ADVANTECHAdvantech Co., Ltd.

研華科技研華科技（中國(guó)）有限公司

M3200_V01

PressureTransducer

TECTE Connectivity Ltd

泰科電子泰科電子有限公司

MBRAF3200_V01

SurfaceMountSchottkyPowerRectifier

ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多VSB3200_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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