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744877101

Marking：W101；WE-DD SMT Shielded Coupled Inductor

GeneralProperties: Itisrecommendedthatthetemperatureofthecomponentdoesnotexceed+125°Cunderworst caseconditions AmbientTemperature(referring toIR)-40upto+85°C OperatingTemperature-40upto+125°C StorageConditions(inoriginal packaging)

WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany.

伍爾特伍爾特集團

744878100

Marking：W100；WE-DD SMT Shielded Coupled Inductor

GeneralProperties: Itisrecommendedthatthetemperatureofthecomponentdoesnotexceed+125°Cunderworst caseconditions AmbientTemperature(referring toIR)-40upto+85°C OperatingTemperature-40upto+125°C StorageConditions(inoriginal packaging)

WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany.

伍爾特伍爾特集團

744878101

Marking：W101；WE-DD SMT Shielded Coupled Inductor

GeneralProperties: Itisrecommendedthatthetemperatureofthecomponentdoesnotexceed+125°Cunderworst caseconditions AmbientTemperature(referring toIR)-40upto+85°C OperatingTemperature-40upto+125°C StorageConditions(inoriginal packaging)

WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany.

伍爾特伍爾特集團

STW10NK80Z

Marking：W10NK80Z；Package：TO-247；N-CHANNEL 800V - 0.78ohm - 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESH??ower MOSFET

Description TheSuperMESH?seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablished strip-basedPowerMESH?layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,special careistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplications.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STW10NK80Z

Marking：W10NK80Z；Package：TO-247；N-channel 800 V, 0.78 Ω, 9 A Zener-protected SuperMESH? Power MOSFETs in TO-220, TO-220FP and TO-247 packages

Description ThesedevicesareN-channelZener-protected PowerMOSFETsdevelopedusing STMicroelectronics'SuperMESH?technology, achievedthroughoptimizationofST'swell establishedstrip-basedPowerMESH?layout.In additiontoasignificantreductioninonresistance,thisdeviceisdesign

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

TW107Z65C

Marking：W107Z65C；Package：TO-247-4L；MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=650V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=107mΩ(typ.) (5)Lesssusceptiblet

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

STW10NK60Z

Marking：W10NK60Z；Package：TO-247；N-channel 600V - 0.65廓 - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

詳細參數(shù)

  • 型號：

    W10

  • 功能描述：

    橋式整流器 1.5A 1000V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay

  • 產(chǎn)品：

    Single Phase Bridge

  • 峰值反向電壓：

    1000 V 最大 RMS

  • 正向連續(xù)電流：

    4.5 A

  • 最大浪涌電流：

    450 A

  • 正向電壓下降：

    1 V

  • 最大反向漏泄電流：

    10 uA

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 長度：

    30.3 mm

  • 寬度：

    4.1 mm

  • 高度：

    20.3 mm

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    SIP-4

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多W10供應商 更新時間2025-3-29 9:15:00

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