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STFW3N150

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=2.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingpower

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STP3N150

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STP3N150

N-channel1500V,2.5A,6Ωtyp.,PowerMESHPowerMOSFETsinTO-3PF,H2PAK-2,TO-220andTO247packages

Features ?100avalanchetested ?IntrinsiccapacitancesandQgminimized ?Highspeedswitching ?FullyisolatedTO-3PFplasticpackage,creepagedistancepathis5.4mm(typ.) Applications ?Switchingapplications Description ThesePowerMOSFETsaredesignedusingtheSTMicroelectron

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STP3N150

N-channel1500V,6廓,2.5A,PowerMESH??PowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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STP3N150

N-channel1500V,6廓,2.5A,PowerMESH??PowerMOSFETinTO-220,TO-247,TO-3PF

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T3N150TW

TmaxMoldedCaseCircuitBreakers

ABBabb

ABB集團ABB（中國）有限公司

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更多W3N150供應商 更新時間2025-4-8 8:30:00

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