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XPJR6604PB中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

XPJR6604PB
廠商型號

XPJR6604PB

功能描述

MOSFETs Silicon N-channel MOS

絲印標(biāo)識

K4M

封裝外殼

S-TOGL

文件大小

803.15 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 13:00:00

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XPJR6604PB規(guī)格書詳情

Applications

? Automotive

? Switching Voltage Regulators

? Motor Drivers

? DC-DC Converters

Features

(1) AEC-Q101 qualified

(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.53 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(3) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

(4) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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