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BC338

AmplifierTransistors

AmplifierTransistorsNPNSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable*

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BC338

SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS

SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS FEATURES *SuitableforAF-Driverstagesandlowpoweroutputstages *ComplementtoUTCBC327/328

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

BC338

GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors

Diotec

Diotec Semiconductor

BC338

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.8A Collector-basevoltage V(BR)CBO:BC33750V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

BC338

TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

DCCOM

Dc Components

BC338

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications Thesetypesaresubdividedintothreegroups-16, -25and-40,accordingtotheirDCcurrentgain.

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技(東莞)有限公司

BC338

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.8A Collector-basevoltage VCBO:BC33750V BC33830V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

BC338

SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

BC338

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

BC338

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors(NPN)

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Powerdissipation

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

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更多XUO338供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-10 10:44:00