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ZXMN6A11DN8TA中文資料DIODES數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

ZXMN6A11DN8TA
廠商型號

ZXMN6A11DN8TA

功能描述

60V SO8 Dual N-channel enhancement mode MOSFET

文件大小

655.61 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-23 9:48:00

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ZXMN6A11DN8TA規(guī)格書詳情

Description

This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique structure combining the benefits of low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications.

Features

? Low on-resistance

? Fast switching speed

? Low threshold

? Low gate drive

? Low profile SOIC package

Applications

? DC-DC converters

? Power management functions

? Motor control

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    ZXMN6A11DN8TA

  • 功能描述:

    MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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