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ZXTN25012EFLTA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

ZXTN25012EFLTA
廠商型號

ZXTN25012EFLTA

參數(shù)屬性

ZXTN25012EFLTA 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 12V 2A SOT23-3

功能描述

12V, SOT23, NPN low power transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

476.5 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Zetex Semiconductors
企業(yè)簡稱

Zetex

中文名稱

Zetex Semiconductors官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-22 11:16:00

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ZXTN25012EFLTA規(guī)格書詳情

Description

Advanced process capability has been used to achieve high current gain hold up making this device ideal for applications requiring high pulse currents.

Features

? High peak current

? Low saturation voltage

? 6V reverse blocking voltage

Applications

? MOSFET and IGBT gate driving

? DC-DC conversion

? LED driving

? Interface between low voltage ICs and load

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    ZXTN25012EFLTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 100mA,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    500 @ 10mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    260MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 12V 2A SOT23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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