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BM05N06-M-B

Marking：05N06；Package：TO-126-FJ；NPN LOW Vce(sat) TRANSISTOR

APPLICATIONS ?Switchingandmuting ?Batterycharger ?Supplylineswitchingcircuits FEATURES ?Epitaxialsilicon ?LowVCE(sat)，highcurrent ?RoHSproduct

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

G050N06LL

Marking：05N06；Package：SOT-23-6；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG050N06LLusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

G050N06LLA

Marking：05N06；Package：SOT-23-6；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG050N06LLAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

G05N06S2

Marking：05N06；Package：SOP-8Dual；Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG05N06S2usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多05N06供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 14:01:00

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