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RM10N600LD

Marking:10N600;Package:TO-252-2L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GeneralDescription TheRM10N600LDuseadvancedtrenchgatesuper junctiontechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON) withlowgatecharge.ThissuperjunctionMOSFETfitsthe industry’sAC-DCSMPSrequirementsforPFC,AC/DC powerconversion,andindustrialpowerapplications. Fea

RECTRON

Rectron Semiconductor

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更多10N600供應(yīng)商 更新時間2025-4-25 22:59:00