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IMZ120R045M1

Marking：120M1045；Package：PG-TO247-4；CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

Features ?Verylowswitchinglosses ?Threshold-freeonstatecharacteristic ?Widegate-sourcevoltagerange ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?0Vturn-offgatevoltage ?Fullycontrollabledv/dt ?Commutationrobustbodydiode,readyforsynchronousrectification ?Eas

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMW120R045M1

Marking：120M1045；Package：PG-TO247-3；CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多120M1045供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-8 10:38:00

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