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V62SLASH22601-04XE

Marking：12MD；Package：WSON；LP5912-EP Enhanced Product, 500-mA, Low-Noise, Low-IQ LDO

1Features ?Inputvoltagerange:1.6Vto6.5V ?Outputvoltagerange:0.8Vto5.5V ?Outputcurrent:Upto500mA ?Lowoutput-voltagenoise:12μVRMS(typ) ?PSRRat1kHz:75dB(typ) ?Outputvoltagetolerance(VOUT≥3.3V):±2% ?LowIQ(enabled,noload):30μA(typ) ?Lowd

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

V62SLASH22601-07XE

Marking：12MG；Package：WSON；LP5912-EP Enhanced Product, 500-mA, Low-Noise, Low-IQ LDO

1Features ?Inputvoltagerange:1.6Vto6.5V ?Outputvoltagerange:0.8Vto5.5V ?Outputcurrent:Upto500mA ?Lowoutput-voltagenoise:12μVRMS(typ) ?PSRRat1kHz:75dB(typ) ?Outputvoltagetolerance(VOUT≥3.3V):±2% ?LowIQ(enabled,noload):30μA(typ) ?Lowd

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

V62SLASH22601-09XE

Marking：12MF；Package：WSON；LP5912-EP Enhanced Product, 500-mA, Low-Noise, Low-IQ LDO

1Features ?Inputvoltagerange:1.6Vto6.5V ?Outputvoltagerange:0.8Vto5.5V ?Outputcurrent:Upto500mA ?Lowoutput-voltagenoise:12μVRMS(typ) ?PSRRat1kHz:75dB(typ) ?Outputvoltagetolerance(VOUT≥3.3V):±2% ?LowIQ(enabled,noload):30μA(typ) ?Lowd

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

IMBG120R030M1H

Marking：12M1H030；Package：PG-TO263-7；CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG120R045M1H

Marking：12M1H045；Package：PG-TO263-7；CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFETwith .XT interconnection technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG120R060M1H

Marking：12M1H060；Package：PG-TO263-7；CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFETwith .XT interconnection technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG120R090M1H

Marking：12M1H090；Package：PG-TO263-7；CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG120R140M1H

Marking：12M1H140；Package：PG-TO263-7；CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG120R220M1H

Marking：12M1H220；Package：PG-TO263-7；CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG120R350M1H

Marking：12M1H350；Package：PG-TO263-7；CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    12M

  • 功能描述：

    _

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
進(jìn)口原裝
23+
SMD
40679
全新原裝現(xiàn)貨,專業(yè)代理熱賣
 詢價
2020+
5000
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
ON/安森美
23+
SOT23-3
15000
全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
 詢價
原廠原裝
13+
4990
原裝分銷
 詢價
IR
100
原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)惠
 詢價
美晶
15+
XTAL_3225
10000
原裝現(xiàn)貨價格有優(yōu)勢量大可以發(fā)貨
 詢價
GEN
24+/25+
23
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
 詢價
CEM
24+
SMD-8
50000
詢價
IR
24+
DO-4
6980
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
 詢價
N
24+
DO
3000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
更多12M供應(yīng)商 更新時間2025-3-31 16:29:00

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