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IMBG120R008M2H

Marking：12M2H008；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC? 1200 V SiC MOSFET G2

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDDC=144AatTC=100°C ?RDS(on)=7.7mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?OverloadoperationuptoTvj=200°C ?Shortcircuitwithstandtime2μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstparas

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多12M2H008供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-31 15:00:00

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