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FQPF12N65C

N-ChannelMOSFET

■Features OriginativeNewDesign SuperiorAvalancheRuggedTechnology RobustGateOxideTechnology VeryLowIntrinsicCapacitances ExcellentSwitchingCharacteristics UnrivalledGateCharge:38nC(Typ.) ExtendedSafeOperatingArea LowerRDS(ON):0.67?(Typ.)@VGS=10V 100%AvalancheTe

HAOHAIHAOHAI ELECTRONICS CO., LTD.

浩海電子深圳市浩海電子有限公司

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三極管/MOS管/晶體管 > 場效應(yīng)管(MOSFET)
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更多12N65T供應(yīng)商 更新時間2025-4-23 17:10:00

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