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RM140N150BHD

Marking：140N150；Package：TO-263；150V N-Ch Power MOSFET

Feature ?HighSpeedPowerSwitching ?EnhancedBodydiodedvidicapabilly ?100UIStested ?Pb-freeleadplating

RECTRON

Rectron Semiconductor

RM140N150BHD

Marking：140N150；Package：TO-247；150V N-Ch Power MOSFET

Feature HighSpeedPowerSwitching EnhancedBodydiodedvidtcapability 100UIStested Pb-freeleadplating

RECTRON

Rectron Semiconductor

RM140N150BT2

Marking：140N150；Package：TO-263；150V N-Ch Power MOSFET

Feature HighSpeedPowerSwitching EnhancedBodydiodedvidtcapability 100UIStested Pb-freeleadplating

RECTRON

Rectron Semiconductor

RM140N150BT7

Marking：140N150；Package：TO-220；150V N-Ch Power MOSFET

Feature HighSpeedPowerSwitching EnhancedBodydiodedvidtcapability 100UIStested Pb-freeleadplating

RECTRON

Rectron Semiconductor

RM140N150T2

Marking：140N150；Package：TO-220-3L；N-Channel Super Trench Power MOSFET

Description TheRM140N150T2usesSuperTrenchtechnologythatis uniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequency switchingperformance.Bothconductionandswitchingpower lossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationof RDS(ON)andQg.Thisdeviceisidealforhigh

RECTRON

Rectron Semiconductor

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更多140N150供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 16:30:00

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